日研制出磁性导体材料

日本科学技术振兴事业团最近开发出由镓、砷、锰三种元素组成的磁性半导体材料。试制这种新材料的主要方法是：在真空状态中的砷化镓基板上，在低温环境中将上述三种材料堆积成薄膜状的结晶，然后将这种结晶体冷却到零下一百七十摄氏度便可产生磁性半导体材料。研究人员认为，磁性半导体材料可用于生产同时拥有记忆和演算机能的新元件，现有的材料都难以做到。